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MG25Q2YS40

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MODULOS IGBT DE CANAL N MODULOS IGBT DE CANAL N

PDF MG25Q2YS40

Características Eléctricas: 25A/1200V/2U

Marca: No identificado

Menge
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  Política de seguridad

(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)

  Política de entrega

(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)

FeaturesAplicaciones
  • SILICON N CHANNEL IGBT MODULE
  • Features
  • High Input Impedance
  • High Speed : tf = 0.5us (Max.)
  • trr =0.5us (Max.)
  • Low Saturation Voltage :
  • VCE(sat) = 4.0 V (Max.)
  • Enhancement-Mode
  • Includes a Complete Half Bridge in
  • one Package
  • The Electrodes are Isolated from Case
  • Applications
  • High Power Switching
  • Motor Control

Marca:

No identificado

Características electricas: 25A/1200V/2U

Toshiba * Transistor

Type : IGBT 25A 1200V DUAL
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MG25Q2YS40

Besondere Bestellnummern

Hersteller-Teilenummer (MPN)
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