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MG200J2YS50

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MODULOS IGBT DE CANAL N MODULOS IGBT DE CANAL N

PDF MG200J2YS50

Características Eléctricas: 200A/600V/2U

Marca: No identificado

Menge
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  Política de seguridad

(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)

  Política de entrega

(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)

FeaturesAplicaciones
  • SILICON N CHANNEL IGBT MODULE
  • Features
  • The Electrodes are Isolated from Case
  • High Input Impedance
  • Includes a Complete Half Bridge in
  • One Package
  • Enhancement-Mode
  • High Speed :
  • tf=0.30us (Max.) (IC = 200A)
  • trr=0.15us (Max.) (IF = 200A)
  • Low Saturation Voltage :
  • VCE(sat)=2.70V (Max.) (IC =200A)
  • Applications
  • High Power Switching
  • Motor Control

Marca:

No identificado

Características electricas: 200A/600V/2U

Toshiba * Transistor

Type : IGBT 200A 600V DUAL
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MG200J2YS50

Besondere Bestellnummern

Hersteller-Teilenummer (MPN)
MG200J2YS50

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