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MG150J1BS11

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MODULOS IGBT DE CANAL N MODULOS IGBT DE CANAL N

PDF MG150J1BS11

Características Eléctricas: 150A/600V/1U

Marca: No identificado

Menge
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  Política de seguridad

(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)

  Política de entrega

(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)

FeaturesAplicaciones
  • SILICON N CHANNEL IGBT MODULE
  • Features
  • High Input Impedance
  • High Speed :
  • tf=1.0us (Max.) (IC=150A)
  • Low Saturation Voltage :
  • VCE(sat)=2.7V (Max.) (IC=150A)
  • Enhancement-Mode
  • The Electrodes are Isolated from Case
  • Applications
  • High Power Switching
  • Motor Control

Marca:

No identificado

Características electricas: 150A/600V/1U

Toshiba * Transistor

Type : IGBT 150A 600V SINGLE
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MG150J1BS11

Besondere Bestellnummern

Hersteller-Teilenummer (MPN)
MG150J1BS11

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