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MG100Q2YS50

105,00 $
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MODULOS IGBT DE CANAL N MODULOS IGBT DE CANAL N

PDF MG100Q2YS50

Características Eléctricas: 100A/1200V/2U

Marca: No identificado

Menge
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  Política de seguridad

(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)

  Política de entrega

(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)

FeaturesAplicaciones
  • SILICON N CHANNEL IGBT MODULE
  • Features
  • The Electrodes are Isolated from Case
  • High Input Impedance
  • Enhancement-Mode
  • High Speed :
  • tf=0.3us (Max.) @ Inductive Load
  • Low Saturation Voltage :
  • VCE(sat) = 3.6 V (Max.)
  • Includes a Complete Half Bridge in
  • One Package
  • Applications
  • High Power Switching
  • Motor Control

Marca:

No identificado

Características electricas: 100A/1200V/2U

Toshiba * Transistor

Type : IGBT 100A 1200V DUAL
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ventas@ims-refacciones-industriales.com
MG100Q2YS50

Besondere Bestellnummern

Hersteller-Teilenummer (MPN)
MG100Q2YS50

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