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SKIM455GD12T4D1

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MODULO DIODO THYRISTOR

Última actualización

DatasheetSKIM455GD12T4D1

305A/1200V/6U

No identificado

Menge
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  Política de seguridad

(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)

  Política de entrega

(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)

Features

  • Trench IGBT MODULE
  • IGBT 4 = Trenchgate technology
  • VCE(sat) with positive temperature coefficient
  • High short circuit capability

Aplications

  • Applications
  • High Reliability AC inverter
  • drives

Semikron IGBTs

Semikron

SKIM455GD12T4D1

IGBT ; Type; Six-Pack

Vces; 1200 Volts DC

Ic; 450 Amps

Vges +/-; 20

Ices Max; 0.3 MilliAmps

Vge(th) Min/Max; 5~6.5 Volts

Vce(sat) Max; 2 Volts

Height (mm); 34.5

Width (mm); 184.5

Depth (mm); 106.5 ;

SKIM455GD12T4D1

Besondere Bestellnummern

Hersteller-Teilenummer (MPN)
SKIM455GD12T4D1
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