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BSM100GB120DN2
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TRANSISTOR VMOS DE POTENCIA
Última actualización
BSM100GB120DN2100A/1200V/2U
No identificado
Política de seguridad
(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)
Política de entrega
(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)
Features
- IGBT Power Module
- Half-bridge
- Including fast free-wheeling diodes
- Package with insulated metal base plate
Aplications
- Semiconductors High Power Equipment Repair
Infineon, Formerly Eupec IGBTs
Infineon, Formerly Eupec
BSM100GB120DN2
IGBT 100A 1200V DUAL ; Type; Dual
Vces; 1200 Volts DC
Ic; 100 Amps
Vges +/-; 20
Ices Max; 2 MilliAmps
Iges Max; 0.2 MicroAmps
Vge(th) Min/Max; 6.5 Volts
Vce(sat) Max; 3.7 Volts
Height (mm); 30.9
Width (mm); 106.4
Depth (mm); 61.4 ;
BSM100GB120DN2
Besondere Bestellnummern
- Hersteller-Teilenummer (MPN)
- BSM100GB120DN2
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