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MG50Q6ES41

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MODULOS IGBT DE CANAL N

Última actualización

DatasheetMG50Q6ES41

50A/1200V/6U

No identificado

Menge
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  Política de seguridad

(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)

  Política de entrega

(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)

Features

  • SILICON N CHANNEL IGBT MODULE
  • The Electrodes are Isolated from Case
  • 6 IGBTs are Built Into 1 Package
  • Enhancement-Mode
  • Low Saturation Voltage :
  • VCE(sat) = 4.0V (Max.)
  • High Speed :
  • tf = 0.5us (Max.)

Aplications

  • Semiconductors High Power Equipment Repair

Toshiba Transistor Module

Toshiba

MG50Q6ES41

IGBT 50A 1200V SIX-PACK

MG50Q6ES41

Besondere Bestellnummern

Hersteller-Teilenummer (MPN)
MG50Q6ES41
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