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MG50Q1BS11
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MG50Q1BS11
Política de seguridad
(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)
Política de entrega
(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)
Features
- SILICON N CHANNEL IGBT MODULE
- The Electrodes are Isolated from Case
- High Input Impedance
- Enhancement -Mode
- High Speed :
- tf=1.0us (Max.) (IC = 50A)
- Low Saturation Voltage :
- VCE(sat)= 2.70V (Max.) (IC = 50A)
Aplications
- Applications
- High Power Switching
- Motor Control
Toshiba * Transistor
Toshiba
MG50Q1BS11
IGBT 50A 1200V SINGLE
MG50Q1BS11
Besondere Bestellnummern
- Hersteller-Teilenummer (MPN)
- MG50Q1BS11
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