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MG50Q1BS1
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MG50Q1BS1
Política de seguridad
(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)
Política de entrega
(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)
Features
- INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
- High Input Impedance
- High Speed : tr = 0.5 us (Max.)
- Low Saturation Voltage : VCE(sat) = 4.0 V (Max.)
- Enhancement-Mode
- The Electrodes are Isolated from Case
Aplications
- Applications
- High Power Switching
- Motor Control
MG50Q1BS1
Besondere Bestellnummern
- Hersteller-Teilenummer (MPN)
- MG50Q1BS1
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