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MG50J1BS11

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MODULOS IGBT DE CANAL N

Última actualización

DatasheetMG50J1BS11

50A/600V/1U

No identificado

Menge
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  Política de seguridad

(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)

  Política de entrega

(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)

Features

  • SILICON N CHANNEL IGBT MODULE
  • High Input Impedance
  • High Speed : tf=1.0us(Max.) (IC=50A)
  • Low Saturation Voltage :
  • VCE(sat)=2.7V (Max.) (IC =50A)
  • Enhancement-Mode
  • The Electrodes are Isolated from Case

Aplications

  • Applications
  • High Power Switching
  • Motor Control

Toshiba * Transistor

Toshiba

MG50J1BS11

IGBT 50A 600V SINGLE

MG50J1BS11

Besondere Bestellnummern

Hersteller-Teilenummer (MPN)
MG50J1BS11
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