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MG50H1BS1

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steuerfrei

MODULO DE POTENCIA MOSFET

Última actualización

DatasheetMG50H1BS1

50A/500V/1U

No identificado

Menge
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  Política de seguridad

(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)

  Política de entrega

(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)

Features

  • SILICON N CHANNEL IGBT MODULE
  • High Input Impedance
  • High Speed : tf = 1.0 us (Max.)
  • Low Saturation Voltage : VCE(sat) = 5.0 V (Max.)
  • Enhancement-Mode
  • The Electrodes are Isolated from Case

Aplications

  • Applications
  • HIGH POWER SWITCHING
  • MOTOR CONTROL

Toshiba * Transistor

Toshiba

MG50H1BS1

IGBT 50A 500V SINGLE

MG50H1BS1

Besondere Bestellnummern

Hersteller-Teilenummer (MPN)
MG50H1BS1
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