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MG500Q1US11

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Última actualización

DatasheetMG500Q1US11

500A/1200V/1U

No identificado

Menge
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  Política de seguridad

(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)

  Política de entrega

(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)

Features

  • SILICON N CHANNEL IGBT MODULE
  • High Input Impedance
  • High Speed :
  • tf=1.0us (Max.) trr=0.5us (Max.)
  • Low Saturation Voltage :
  • VCE(sat) = 2.7V (Max.)
  • Enhancement-Mode
  • The electrodes are isolated from case

Aplications

  • Applications
  • High Power Switching
  • Motor Control

Toshiba * Transistor

Toshiba

MG500Q1US11

IGBT 500A 1200V SINGLE

MG500Q1US11

Besondere Bestellnummern

Hersteller-Teilenummer (MPN)
MG500Q1US11
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