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MG25N2YS1
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MG25N2YS1
Política de seguridad
(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)
Política de entrega
(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)
Features
- SILICON N CHANNEL IGBT
- High Input Impedance
- High Speed : tf=1.0us(Max.)
- trr=0.5us(Max.)
- Low Saturation Voltage : VCE(sat)=5.0V (Max.)
- Enhancement-Mode
- Includes a Complete Half Bridge in one Package
- The Electrodes are Isolated from Case.
Aplications
- Applications
- High Power Switching
- Motor Control
MG25N2YS1
Besondere Bestellnummern
- Hersteller-Teilenummer (MPN)
- MG25N2YS1
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