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MG200N1US1

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SCR - THYRISTOR CONTROL DE FASE

Última actualización

DatasheetMG200N1US1

200A/1000V/1U

No identificado

Menge
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  Política de seguridad

(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)

  Política de entrega

(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)

Features

  • SILICON N CHANNEL IGBT MODULE
  • High Input Impedance
  • High Speed : tf=1.0 us (Max.) trr=0.5us(Max.)
  • Low Saturation Voltage : VCE(sat)=5.0 V (Max.)
  • Enhancement-Mode
  • The Electrodes are Isolated from Case

Aplications

  • Aplications
  • High Powewr Switching
  • Motor Control
MG200N1US1

Besondere Bestellnummern

Hersteller-Teilenummer (MPN)
MG200N1US1
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