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MG200J2YS50
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Política de entrega
(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)
Features
- SILICON N CHANNEL IGBT MODULE
- The Electrodes are Isolated from Case
- High Input Impedance
- Includes a Complete Half Bridge in
- One Package
- Enhancement-Mode
- High Speed :
- tf=0.30us (Max.) (IC = 200A)
- trr=0.15us (Max.) (IF = 200A)
- Low Saturation Voltage :
- VCE(sat)=2.70V (Max.) (IC =200A)
Aplications
- Applications
- High Power Switching
- Motor Control
Toshiba * Transistor
Toshiba
MG200J2YS50
IGBT 200A 600V DUAL
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