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GT25J101

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IGBT - IPM

Última actualización

DatasheetGT25J101

25A/600V/1U

No identificado

Menge
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  Política de seguridad

(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)

  Política de entrega

(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)

Features

  • SILICON N-CHANNEL IGBT TRANSISTOR
  • High Input Impedance
  • High Speed : tf=0.35us (Max)
  • Low Saturation Voltage : VCE(sat)=4.0V (Max)
  • Enhancement-Mode

Aplications

  • Applications
  • High Power Switching
  • Motor Control

Miscellaneous * Semiconductor

Miscellaneous

GT25J101

Semiconductor

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Besondere Bestellnummern

Hersteller-Teilenummer (MPN)
GT25J101
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