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IXBH9N160G

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Última actualización

DatasheetIXBH9N160G

9A/1600V/1U

No identificado

Menge
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  Política de seguridad

(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)

  Política de entrega

(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)

Features

  • High Voltage BIMOSFET
  • International standar package
  • JEDEC TO-247 AD
  • High Voltage BIMOSFET replaces high voltage
  • Darlingtons and series connected MOSFETs
  • Lower effective RDS (on)
  • Monolithic construction
  • high blocking voltage capability
  • very fast turn-off characteristics
  • MOS Gate turn-on drive simplicity
  • Intrinsic diode

Aplications

  • Applications
  • AC motor speed control
  • DC servo and robot drives
  • DC choppers
  • Uninterruptible power supplies (UPS)
  • Switched-mode and resonant-mode
  • power supplies
  • CRT deflection
  • Lamp ballasts

IXYS Transistor

IXYS

IXBH9N160G

TRANSISTOR,1600V,9A

IXBH9N160G

Besondere Bestellnummern

Hersteller-Teilenummer (MPN)
IXBH9N160G
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