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2SJ412

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MODULOS DE POTENCIA

Última actualización

Datasheet2SJ412

16A/100V/1U

No identificado

Quantidade
Esgotado

  Política de seguridad

(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)

  Política de entrega

(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)

Features

  • Silicon P Channel MOS Type
  • 4-V gate drive
  • Low drain-source ON resistance: RDS(ON)=0.15 Ohms (typ.)
  • High forward transfer admittance : Yfs =7.7 S (typ.)
  • Low leakage current : IDSS=-100 uA (max) (VDS=100V)
  • Enhancement mode : Vth= -8 to -2.0 V (VDS= -10 V, ID= -1 mA)

Aplications

  • Semiconductors High Power Equipment Repair
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Referências específicas

MPN
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