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MG50Q1BS1

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MODULOS IGBT DE CANAL N MODULOS IGBT DE CANAL N

PDF MG50Q1BS1

Características Eléctricas: 50A/1200V/1U

Marca: No identificado

Quantidade
Esgotado

  Política de seguridad

(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)

  Política de entrega

(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)

FeaturesAplicaciones
  • INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
  • Features
  • High Input Impedance
  • High Speed : tr = 0.5 us (Max.)
  • Low Saturation Voltage : VCE(sat) = 4.0 V (Max.)
  • Enhancement-Mode
  • The Electrodes are Isolated from Case
  • Applications
  • High Power Switching
  • Motor Control

Marca:

No identificado

Características electricas: 50A/1200V/1U

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Referências específicas

MPN
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