- Esgotado
MG30G1BL2
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Sem imposto
MG30G1BL2
Política de seguridad
(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)
Política de entrega
(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)
Features
- SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED IGBT MODULE
- The Collector is Isolated from Ground
- High DC Current Gain :
- hfe = 100(Min.) (IC=30A)
- Low Saturation Voltage:
- VCE(sat)=2V (Max.) (IC=30A)
- High Speed : tf=2us (Max.) (IC=30A)
Aplications
- Applications
- High Power Switching
Toshiba * Transistor
Toshiba
MG30G1BL2
TRANSISTOR 30A 400V SINGLE
MG30G1BL2
Referências específicas
- MPN
- MG30G1BL2
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