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MG100J6ES50

$ 84,00
Sem imposto

VARIOS

Última actualización

DatasheetMG100J6ES50

100A/600V/6U

No identificado

Quantidade
Esgotado

  Política de seguridad

(Los productos cuentan con garantía limitada, por favor revisa nuestras condiciones)

  Política de entrega

(Envíos de 1-2 días hábiles para productos de stock)

Features

  • SILICON N CHANNEL IGBT MODULE
  • The electrodes are isolated from case
  • High input impedance
  • 6 IGBTs built into 1 package
  • Enhancement-mode
  • High speed tf=0.30us (Max) (IC=100A)
  • trr = 0.15us (Max) (IF=100A)
  • Low saturation voltage : VCE(sat) = 2.70V (Max) (IC = 100A)

Aplications

  • Applications
  • High Power Switching
  • Motor Control
MG100J6ES50

Referências específicas

MPN
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